金融界 2024 年 12 月 2 日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“高光效 Micro-LED 外延片及其制備方法、Micro-LED”的專利，公開號(hào) CN 119050225 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 10 月。
專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高光效 MicroLED 外延片及其制備方法、MicroLED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。MicroLED 外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜 GaN 層、N 型 GaN 層、多量子阱層、空穴擴(kuò)展層、空穴存儲(chǔ)層和空穴層；空穴擴(kuò)展層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的 BN 層和 Mg 輕摻 GaN 層；空穴存儲(chǔ)層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的 GaN 層、InGaN 層和 Mg 摻 AlGaN 層；空穴層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的 P 型 BInGaN 層、Mg3N2 層和 P 型 GaN 層；P 型 GaN 層的摻雜濃度≥1×1019cm3。實(shí)施本發(fā)明，可提升發(fā)光效率。
