OPGA（Organic pin grid Array，有機管腳陣列）。這種封裝的基底使用的是玻璃纖維，類似印刷電路板上的材料。此種封裝方式可以降低阻抗和封裝成本。OPGA封裝拉近了外部電容和處理器內(nèi)核的距離，可以更好地改善內(nèi)核供電和過濾電流雜波。AMD公司的AthlonXP系列CPU大多使用此類封裝。
 

mPGA，微型PGA封裝，目前只有AMD公司的Athlon 64和英特爾公司的Xeon（至強）系列CPU等少數(shù)產(chǎn)品所采用，而且多是些高端產(chǎn)品，是種先進的封裝形式。
 

CPGA也就是常說的陶瓷封裝，全稱為Ceramic PGA。主要在Thunderbird（雷鳥）核心和“Palomino”核心的Athlon處理器上采用。
 

FC-PGA封裝是反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列的縮寫，這種封裝中有針腳插入插座。這些芯片被反轉(zhuǎn)，以至片�；驑�(gòu)成計算機芯片的處理器部分被暴露在處理器的上部。通過將片模暴露出來，使熱量解決方案可直接用到片模上，這樣就能實現(xiàn)更有效的芯片冷卻。為了通過隔絕電源信號和接地信號來提高封裝的性能，F(xiàn)C-PGA 處理器在處理器的底部的電容放置區(qū)域（處理器中心）安有離散電容和電阻。芯片底部的針腳是鋸齒形排列的。此外，針腳的安排方式使得處理器只能以一種方式插入插座。FC-PGA 封裝用于奔騰 III 和英特爾 賽揚 處理器，它們都使用 370 針。
 

FC-PGA2 封裝與 FC-PGA 封裝類型很相似，除了這些處理器還具有集成式散熱器 (IHS)。集成式散熱器是在生產(chǎn)時直接安裝到處理器片上的。由于 IHS 與片模有很好的熱接觸并且提供了更大的表面積以更好地發(fā)散熱量，所以它顯著地增加了熱傳導(dǎo)。FC-PGA2 封裝用于奔騰 III 和英特爾賽揚處理器（370 針）和奔騰 4 處理器（478 針）。
 

OOI 是 OLGA 的簡寫。OLGA 代表了基板柵格陣列。OLGA 芯片也使用反轉(zhuǎn)芯片設(shè)計，其中處理器朝下附在基體上，實現(xiàn)更好的信號完整性、更有效的散熱和更低的自感應(yīng)。OOI 有一個集成式導(dǎo)熱器 (IHS)，能幫助散熱器將熱量傳給正確安裝的風(fēng)扇散熱器。OOI 用于奔騰 4 處理器，這些處理器有 423 針。

7、PPGA封裝

“PPGA”的英文全稱為“Plastic Pin Grid Array”，是塑針柵格陣列的縮寫，這些處理器具有插入插座的針腳。為了提高熱傳導(dǎo)性，PPGA 在處理器的頂部使用了鍍鎳銅質(zhì)散熱器。芯片底部的針腳是鋸齒形排列的。此外，針腳的安排方式使得處理器只能以一種方式插入插座。

8、S.E.C.C.封裝

“S.E.C.C.”是“Single Edge Contact Cartridge”縮寫，是單邊接觸卡盒的縮寫。為了與主板連接，處理器被插入一個插槽。它不使用針腳，而是使用“金手指”觸點，處理器使用這些觸點來傳遞信號。S.E.C.C. 被一個金屬殼覆蓋，這個殼覆蓋了整個卡盒組件的頂端。卡盒的背面是一個熱材料鍍層，充當了散熱器。S.E.C.C. 內(nèi)部，大多數(shù)處理器有一個被稱為基體的印刷電路板連接起處理器、二級高速緩存和總線終止電路。S.E.C.C. 封裝用于有 242 個觸點的英特爾奔騰II 處理器和有 330 個觸點的奔騰II 至強和奔騰 III 至強處理器。
 

S.E.C.C.2 封裝與 S.E.C.C. 封裝相似，除了S.E.C.C.2 使用更少的保護性包裝并且不含有導(dǎo)熱鍍層。S.E.C.C.2 封裝用于一些較晚版本的奔騰II 處理器和奔騰 III 處理器（242 觸點）。
 

“S.E.P.”是“Single Edge Processor”的縮寫，是單邊處理器的縮寫。“S.E.P.”封裝類似于“S.E.C.C.”或者“S.E.C.C.2”封裝，也是采用單邊插入到Slot插槽中，以金手指與插槽接觸，但是它沒有全包裝外殼，底板電路從處理器底部是可見的。“S.E.P.”封裝應(yīng)用于早期的242根金手指的Intel Celeron 處理器。
 

PLGA是Plastic Land Grid Array的縮寫，即塑料焊盤柵格陣列封裝。由于沒有使用針腳，而是使用了細小的點式接口，所以PLGA封裝明顯比以前的FC-PGA2等封裝具有更小的體積、更少的信號傳輸損失和更低的生產(chǎn)成本，可以有效提升處理器的信號強度、提升處理器頻率，同時也可以提高處理器生產(chǎn)的良品率、降低生產(chǎn)成本。目前Intel公司Socket 775接口的CPU采用了此封裝。

 

CuPGA是Lidded Ceramic Package Grid Array的縮寫，即有蓋陶瓷柵格陣列封裝。其與普通陶瓷封裝最大的區(qū)別是增加了一個頂蓋，能提供更好的散熱性能以及能保護CPU核心免受損壞。AMD64系列CPU采用了此封裝。

 

封裝(Package)對于芯片來說是必須的，也是至關(guān)重要的。封裝也可以說是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁和規(guī)格通用功能的作用。封裝的主要作用有：
 

(1)物理保護。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降，保護芯片表面以及連接引線等，使相當柔嫩的芯片在電氣或熱物理等方面免受外力損害及外部環(huán)境的影響；同時通過封裝使芯片的熱膨脹系數(shù)與框架或基板的熱膨脹系數(shù)相匹配，這樣就能緩解由于熱等外部環(huán)境的變化而產(chǎn)生的應(yīng)力以及由于芯片發(fā)熱而產(chǎn)生的應(yīng)力，從而可防止芯片損壞失效。基于散熱的要求，封裝越薄越好，當芯片功耗大于2W時，在封裝上需要增加散熱片或熱沉片，以增強其散熱冷卻功能；5～1OW時必須采取強制冷卻手段。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。
 

(2)電氣連接。封裝的尺寸調(diào)整(間距變換)功能可由芯片的極細引線間距，調(diào)整到實裝基板的尺寸間距，從而便于實裝操作。例如從以亞微米(目前已達到0．1 3μm以下)為特征尺寸的芯片，到以10μm為單位的芯片焊點，再到以100μm為單位的外部引腳，最后劍以毫米為單位的印刷電路板，都是通過封裝米實現(xiàn)的。封裝在這里起著由小到大、由難到易、由復(fù)雜到簡單的變換作用，從而可使操作費用及材料費用降低，而且能提高工作效率和可靠性，特別是通過實現(xiàn)布線長度和阻抗配比盡可能地降低連接電阻，寄生電容和電感來保證正確的信號波形和傳輸速度。
 

(3)標準規(guī)格化。規(guī)格通用功能是指封裝的尺寸、形狀、引腳數(shù)量、間距、長度等有標準規(guī)格，既便于加工，又便于與印刷電路板相配合，相關(guān)的生產(chǎn)線及生產(chǎn)設(shè)備都具有通用性。這對于封裝用戶、電路板廠家、半導(dǎo)體廠家都很方便，而且便于標準化。相比之下，裸芯片實裝及倒裝目前尚不具備這方面的優(yōu)勢。由于組裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的印刷電路板(PCB)的設(shè)計和制造，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，組裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán)。

 

 

如今計算機的“心”奔騰不止，以百兆為單位的高速提升讓我們不得不感嘆CPU技術(shù)的成熟和完善。不過，光有一顆速急力猛的芯好像還遠遠不夠，為了讓計算機真正快速地跑起來，整個內(nèi)外系統(tǒng)都需要齊齊跟進，而內(nèi)存則一向是一個關(guān)注焦點。作為計算機的“運作機艙”，內(nèi)存的性能直接影響計算機的整體表現(xiàn)，重要性是不言而喻的。與CPU一樣，內(nèi)存的制造工藝同樣對其性能高低具有決定意義，而在內(nèi)存制造工藝流程上的最后一步也是最關(guān)鍵一步就是內(nèi)存的封裝技術(shù)。采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性能上也會存在較大差距。從DIP、TSOP到BGA，不斷發(fā)展的封裝技術(shù)使得內(nèi)存向著高頻、高速的目標繼續(xù)邁進，而NORCENT Micro－CSP等新型技術(shù)的出現(xiàn)，則意味著內(nèi)存封裝已經(jīng)進入到CSP時代。

 

 

我們所使用的每一條內(nèi)存，其實是由數(shù)量龐大的集成電路組合而成，只不過這些電路，都是需要最后打包完成，這類將集成電路打包的技術(shù)就是所謂的封裝技術(shù)。封裝也可以說是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán)。
 

在我們的計算機里，CPU需要嚴格地封裝，內(nèi)存條也同樣不可怠慢，對于常見的內(nèi)存條而言，我們實際看到的體積和外觀并不是真正的內(nèi)存的大小和面貌，那一個一個整齊排列的小黑塊即內(nèi)存芯片經(jīng)過打包封裝后的成果。對于內(nèi)存這樣以芯片為主的產(chǎn)品來說，封裝技術(shù)不僅保證芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電學(xué)性能下降；而且封裝技術(shù)的好壞還直接關(guān)系到與芯片連接的PCB（印制電路板）的設(shè)計和制造，從而對芯片自身性能的表現(xiàn)和發(fā)揮產(chǎn)生深刻的影響。如此而言，封裝技術(shù)好比內(nèi)存的一件外衣，而內(nèi)存品質(zhì)在這里則是典型的“以貌取人”，越“高檔”的外衣身價也就越高了。如同微處理器一樣，內(nèi)存條的技術(shù)也是不斷地更新。人們手中內(nèi)存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精致。變化不僅在表面上，而且這些新型的芯片在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結(jié)晶應(yīng)歸功新型的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)所帶來的成果。

 

 

由于電子整機和系統(tǒng)在航空、航天、計算機等領(lǐng)域?qū)π⌒突�、輕型化、薄型化等高密度組裝要求的不斷提高，在MCM的基礎(chǔ)上，對于有限的面積，電子組裝必然在二維組裝的基礎(chǔ)上向z方向發(fā)展，這就是所謂的三維(3D)封裝技術(shù)，這是今后相當長時間內(nèi)實現(xiàn)系統(tǒng)組裝的有效手段。
 

實現(xiàn)3D封裝主要有三種方法。一種是埋置型，即將元器件埋置在基板多層布線內(nèi)或埋置、制作在基板內(nèi)部。電阻和電容一般可隨多層布線用厚、薄膜法埋置于多層基板中，而IC芯片一般要緊貼基板。還可以在基板上先開槽，將IC芯片嵌入，用環(huán)氧樹脂固定后與基板平面平齊，然后實施多層布線，最上層再安裝IC芯片，從而實現(xiàn)3D封裝。第二種方法是有源基板型，這是用硅圓片IC(WSI)作基板時，先將WSI用一般半導(dǎo)體IC制作方法作一次元器件集成化，這就成了有源基板。然后再實施多層布線，頂層仍安裝各種其他lC芯片或其他元器件，實現(xiàn)3D封裝。這一方法是人們最終追求并力求實現(xiàn)的一種3D封裝技術(shù)。第三種方法是疊層法，即將兩個或多個裸芯片或封裝芯片在垂直芯片方向上互連成為簡單的3D封裝。更多的是將各個已單面或雙面組裝的MCM疊裝在一起，再進行上下多層互連，就可實現(xiàn)3D封裝。其上下均可加熱沉，這種3D結(jié)構(gòu)又稱為3D．MCM。由于3D的組裝密度高，功耗大，基板多為導(dǎo)熱性好的高導(dǎo)熱基板，如硅、氮化鋁和金剛石薄膜等。還可以把多個硅圓片層疊在一起，形成3D封裝。
 

近幾年來，先進的封裝技術(shù)已在IC制造行業(yè)開始出現(xiàn)，如多芯片模塊（MCM）就是將多個IC芯片按功能組合進行封裝，特別是三維（3D）封裝首先突破傳統(tǒng)的平面封裝的概念，組裝效率高達200%以上。它使單個封裝體內(nèi)可以堆疊多個芯片，實現(xiàn)了存儲容量的倍增，業(yè)界稱之為疊層式3D封裝；其次，它將芯片直接互連，互連線長度顯著縮短，信號傳輸?shù)酶�快且所受干擾更�。辉賱t，它將多個不同功能芯片堆疊在一起，使單個封裝體實現(xiàn)更多的功能，從而形成系統(tǒng)芯片封裝新思路；最后，采用3D封裝的芯片還有功耗低、速度快等優(yōu)點，這使電子信息產(chǎn)品的尺寸和重量減小數(shù)十倍。正是由于3D封裝擁有無可比擬的技術(shù)優(yōu)勢，加上多媒體及無線通信設(shè)備的使用需求，才使這一新型的封裝方式擁有廣闊的發(fā)展空間。
 

最常見的裸芯片疊層3D封裝先將生長凸點的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，這種薄膜基板的材質(zhì)為陶瓷或環(huán)氧玻璃，其上有導(dǎo)體布線，內(nèi)部也有互連焊點，兩側(cè)還有外部互連焊點，然后再將多個薄膜基板進行疊裝互連。
 

裸芯片疊層的工藝過程為：第一步，在芯片上生長凸點并進行倒扣焊接。如果采用金凸點，則由金絲成球的方式形成凸點，在250～400 ℃下，加壓力使芯片與基板互連；若用鉛錫凸點，則采用 Pb95Sn5（重量比）的凸點，這樣的凸點具有較高的熔點，而不致在下道工藝過程中熔化。具體方法，先在低于凸點熔點的溫度（180～250 ℃）下進行芯片和基板焊接，在這一溫度下它們靠金屬擴散來焊接；然后加熱到250～400 ℃，在這一溫度下焊料球熔化，焊接完畢。第一步的溫度是經(jīng)過成品率試驗得到的，當?shù)陀?50 ℃時斷路現(xiàn)象增加；而當高于300 ℃時，則相鄰焊點的短路現(xiàn)象增多。第二步，在芯片與基板之間0.05 mm的縫隙內(nèi)填入環(huán)氧樹脂膠，即進行下填料。第三步，將生長有凸點的基板疊裝在一起，該基板上的凸點是焊料凸點，其成分為Pb/Sn或Sn/Ag，熔點定在200～240 ℃。這最后一步是將基板疊裝后，再在230～250 ℃的溫度下進行焊接。
 

MCM疊層的工藝流程與裸芯片疊層的工藝流程基本一致。除上述邊緣導(dǎo)體焊接采用互連方式外，疊層3D封裝還有多種互連方式，例如引線鍵合疊層芯片就是一種采用引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)疊層互連的，該方法的適用范圍比較廣。此外，疊層互連工藝還有疊層載帶、折疊柔性電路等方式。疊層載帶是用載帶自動鍵合（TAB）實現(xiàn)IC互連，可進而分為印刷電路板（PCB）疊層TAB和引線框架TAB。折疊柔性電路方式是先將裸芯片安裝在柔性材料上，然后將其折疊，從而形成三維疊層的封裝形式。